Главные вкладки
О.Ф, Вывенко
Yu, X., W. Seifert, O.F. Vyvenko, M. Kittler, T. Wilhelm, and M. Reiche, A pure 1.5 mu m electroluminescence from metal-oxide-silicon tunneling diode using dislocation network. Applied Physics Letters, 2008. 93(4): p. 041108-3.
Vyvenko, O.F., T. Buonassisi, A.A. Istratov, H. Hieslmair, A.C. Thompson, R. Schindler, and E.R. Weber, X-ray beam induced current-a synchrotron radiation based technique for the in situ analysis of recombination properties and chemical nature of metal clusters in silicon. Journal of Applied Physics, 2002. 91(6): p. 3614-17.
Bazlov, N., O. Vyvenko, A. Bondarenko, M. Trushin, A. Novikov, A. Vinogradov, M. Brzhezinskaya, and R. Ovsyannikov, Capacitance Transient X-ray Absorption Spectroscopy of semiconducting structures. Superlattices and Microstructures, 2009.
Bondarenko, A., O. Vyvenko, N. Bazlov, and O. Kononchuk, Dislocation luminescence and electrical properties of dislocation network produced by silicon direct wafer bonding. Physica B: Condensed Matter, 2009. 404(23-24): p. 4608-4611.45: p.
- А.С. Бондаренко, О.Ф. Вывенко, И.А. Исаков, Электронные уровни и люминесценция дислокационных сеток, полученных гидрофильным сращиванием пластин кремния // ФТП 2013, т. 47 вып. 2, с. 223-227
190-199.