А.И. Грибенюков

Аватар пользователя А.И. Грибенюков
Александр
Иванович
Грибенюков
Место работы, город: 
Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, г. Томск
ООО "Лаборатория оптических кристаллов", г. Томск
Степень: 
к.ф.-м.н.
Должность, звание: 
с.н.с
Публикации: 

С.В. Чучупал, Г.А. Командин, Е.С. Жукова, А.С. Прохоров, О.Е. Породинков, И.Е. Спектор, Ю.А. Шакир, А.И. Грибенюков

Механизмы формирования потерь в нелинейно-оптических кристаллах ZnGeP2 в терагерцевой области частот

Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 7 c. 1338-1344

 

G.A.Verozubova A.O.Okunev, A.I.Gribenyukov.

Bulk growth of ZnGeP2 crystals and their study by X-ray topography.

Journal of Crystal Growth 401 (2014) 782–786

 

Филиппов М.М., Бабушкин Ю.В., Грибенюков А.И.

Оценка влияния датчиков температуры на температурное поле кольцевого нагревательного модуля –

 Известия Томского политехнического университета. Математика и механика. Физика.  2013. – Т. 323. – № 2. С 155-158

 

Филиппов М.М., Грибенюков А.И., Гинсар В.Е., Бабушкин Ю.В.

Применение математической модели для сопровождения процесса выращивания кристаллов в многозонных термических установках

Известия ВУЗов, Материалы электронной техники, 2013, №2, стр. 26 -31

 

Л.В.Ковальчук, Д.А.Горячкин, В.В.Сергеев, А.Г.Калинцев, Н.А.Калинцева, В.П.Калинин, А.И.Грибенюков

Оптимизация процесса генерации второй гармоники излучения ТЕА СО2 лазера в кристалле ZnGeP2.

 Оптический журнал, 2012, т. 79, № 9, стр. 15-22.

 

Г.А. Верозубова, М.М. Филиппов, А.И. Грибенюков, А.Ю. Трофимов, А.О. Окунев, В.А. Стащенко

Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена/

Известия Томского политехнического университета. – 2012. – Т. 321. – № 2. – C. 121–128.

 

М.М. Филиппов, А.И. Грибенюков, Ю.В. Бабушкин

Система управления технологическим процессом выращивания кристаллов методом Бриджмена

Журнал «Датчики и системы», 2012 г, №  6, стр.2-5

 

Филиппов М.М., Грибенюков А.И., Гинсар В.Е., Бабушкин Ю.В.

Улучшение пространственной однородности монокристаллов ZnGeP2, выращиваемых методом Бриджмена в вертикальном варианте

Известия ВУЗов, сер. Физика, (2012), № 7, стр.29-33

 

Область экспертизы: 

физика конденсированного состояния